岗位职责： [工作职责] 1、工艺平台开发与协同整合 1.1 参与BCD类工艺平台的工艺开发与导入，负责器件结构与工艺流程的协同设计，特别是高压LDMOS、B]、JFET等功率器件相关工艺模块的定义、优化与工艺流程整合。 1.2 深度参与新工艺评估与DOE(实验设计)验证，识别工艺窗口、设计规则与器件性能之间的耦合关系，确保工艺方案在良率、可靠性与可制造性之间取得平衡。 1.3 协同Foundry FAB资源，推动工艺平台研发的实施与进展，管理流片进度; 1.4 建立和维护COT Process Flow，编写流片规范，及时将验证通过的工艺优化更新到Flow中 2、工艺窗口和可量产性的表征 2.1 制定并执行工艺DOE方案，系统评估关键工艺参数(如注入剂量、薄膜厚度、退火条件、刻蚀偏差等)对器件电学特性的影响，建立工艺-器件性能的统计关联。 2.2 编写详细的工艺评估报告与DOE分析报告，为内部工艺整合、可靠性评估与项目决策提供数据支撑。 2.3 负责WAT程序建立与维护，完成WAT数据整理和分析，确定Fail Model并制定改善措施 3、良率提升与可靠性保障 3.1 配合可靠性团队完成HCI/NB11/TDDB等可靠性机理在新工艺平台中的表征、预测与改善，理解FMEA/CP在工艺开发中的作用，跟进中等复杂度的工艺开发项目。 3.2 参与CP/FT良率提升，分析电性数据与良率相关性，推动Foundry进行工艺改善 4、跨部门协同与知识沉淀 4.1 与器件设计、PDK开发、量产工艺、质量与封装团队紧密协作，推动工艺方案在新产品导入各阶段的顺利落 4.2 建立并维护工艺技术文档体系，包括工艺流程说明、DE报告、良率分析报告等，促进团队内部技术沉淀与跨部门高效沟通。 任职条件： 【任职资格】 1、学历要求:硕士及以上 2、专业要求:微电子学、物理学、材料科学、电子工程、集成电路等相关专业 【专业知识要求] 1、熟悉半导体器件物理与CMOS/BCD工艺原理 2、了解PN结、氧化、掺杂等基础半导体物理概念 3、理解CMOS/DMOS的基本工作原理，掌握阈值电压、短沟道效应、迁移率等核心参数与工艺的关联 4、熟悉FAB制造工艺流程(光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散、离子注入、CMP等) 【加分项】 1、有FAB实习/项目经历，熟悉APQP/FMEA/SPC等流程 2、有LDMOS/BCD功率器件工艺相关研究或项目经验 3、有TCAD仿真、工艺DOE或良率提升相关论文/竞赛/项目产出