1. 参与存储器芯片（SRAM / DRAM / NAND Flash / 新型存储器如 MRAM、RRAM）核心电路的设计与优化，包括存储阵列、灵敏放大器（Sense Amplifier）、行/列译码电路、字线/位线驱动、时序控制电路、电荷泵及基准电路等模块； 2. 使用 SPICE 类工具（Spectre / HSPICE / FineSim 等）完成电路的前仿真与后仿真，进行 PVT 角、蒙特卡洛（Monte Carlo）等分析，评估电路的速度、功耗、面积与良率； 3. 与版图工程师协同完成版图设计与验证（DRC / LVS / 寄生参数提取），关注匹配、串扰与 IR Drop 等版图相关问题； 4. 参与芯片流片后的硅验证（Silicon Validation）、测试调试及问题定位，输出分析报告并推动设计迭代； 5. 跟踪存储器技术前沿（先进工艺节点、3D 堆叠、存算一体等），参与新架构预研。