一、硬性准入条件 1. 学历：微电子、电路与系统等相关专业硕士或者博士，研究方向为RF/模拟/通讯系统和芯片设计； 2. 核心硬条件：具备10年以上测试开发或测试平台相关经验，有大型测试平台、测试框架建设实战经验优先，有芯片ATE测试平台开发经验更佳； 3. 基础能力：CET-6及以上，可熟练阅读英文文献、开展英文技术交流。 二1. 架构与模块设计： 精通ATE测试系统架构及应用场景需求，熟悉 PE（Pin Electronics）、PMU（Parametric Measurement Unit）、DPS（Device Power Supply）等芯片架构设计； 2. 高速与精密电路设计：熟悉高速比较器、可编程增益放大器、精密DAC/ADC等核心IP设计，精通低噪声、高带宽、高精度模拟/混合信号链路设计； 3. 工艺能力： 熟悉 SiGe、BiCMOS、CMOS、SOI 等工艺平台，具备Foundry流片对接、器件特性建模、工艺调试与问题排查能力； 3. 全流程研发：熟练使用ADS、Cadence、HFSS等EDA工具，精通芯片设计、版图、电磁/数模混合仿真，掌握器件建模、寄生提取、去嵌入核心技术； 4. 测试闭环能力：熟悉芯片测试验证流程，可独立制定测试方案，精准排查仿真与测试偏差，完成研发迭代闭环； 5. 技术攻关：可解决高精度测试芯片的线性度、噪声、速度等关键性能瓶颈，具备 ATE应用场景 的深度理解能力。 三、优先加分项 1. 有测试平台产品研发经验优先； 2. 有PE、PMU、DPS芯片研发经验优先； 3. 拥有ISSCC、JSSC等顶会顶刊论文或核心技术专利优先； 4. 具备技术路线规划、射频IP库搭建、团队技术赋能经验优先； 5.具备测试系统/ATE行业经验（Advantest、Teradyne等）优先。 四、综合素质特质 具备良好的系统思维与抽象能力，能独立设计复杂测试系统；沟通协调能力强，能推动跨团队技术合作；结果导向、ownership突出，具备优秀的技术输出与团队赋能能力