1、负责半导体/微纳光学光刻工艺开发、参数调试与量产维护，包含涂胶、烘烤、对准曝光、显影、硬烘等全流程工艺； 2、优化光刻核心工艺参数（曝光剂量、焦距、胶厚、转速、温度、套准Overlay），开展DOE实验，验证工艺窗口，稳定CD线宽与图形良率； 3、负责光刻工艺异常分析与改善，解决残胶、针孔、图形畸变、条纹、对焦偏移、尺寸漂移等常见工艺缺陷，持续提升良率与稳定性； 4、熟练使用CD-SEM、光学轮廓仪、Overlay量测设备，完成图形检测、数据分析与制程监控； 5、编写工艺SOP、实验报告、工艺变更文档，配合刻蚀、薄膜、量测团队推进新工艺导入与产品量产爬坡。