1. 技术路线规划：联动市场部与设计部进行需求与技术双轮驱动，将终端应用场景转化为DRAM器件的关键性能指标，主导工艺规格的顶层设计以确保技术路径与商业战略高度契合； 2. 制程整合创新：协同光刻、刻蚀、薄膜、CMP等工艺团队制定整合方案，解决跨模块技术难点，确保工艺流程的稳定性； 3. 跨域协同攻坚：领衔设计、器件、工艺、检测四位一体技术攻坚体系，构建系统化平台，突破存储单元微缩化极限与阵列电容性能优化等核心挑战，实现电性参数、工艺参数与缺陷控制的全局最优解； 4. 技术中台建设：打造工艺整合技术中台，集成FMEA失效预判矩阵、SPC量产稳健性评估模型及机器学习驱动的缺陷根因溯源自愈系统，贯穿新产品平台研发全周期，重塑存储技术量产范式。