研发良率提升(J20799)当面告知
长鑫科技集团股份有限公司
2026-12-03 16:47:28
校招27届本科硕士
岗位详情
地区：
合肥市
专业要求：
物理学材料科学与工程电子信息工程微电子科学与工程
岗位职责：
1. 良率突破：主导前沿DRAM产品研发阶段的良率从0到1突破，协同团队攻克0良率技术瓶颈，推动产品良率逐步提升至可量产标准；
2. 根因定位：推动探究DRAM存储单元电学特性与制造工艺，电路设计，测试方案之间的内在关联，梳理多技术领域耦合规律并定位良率损失根因，落地针对性优化方案；
3. 技术协同：推动工艺，器件，设计，测试多环节的技术协同迭代，沉淀技术经验与方法论，助力前沿DRAM产品技术体系搭建。
招聘要求：
1. 学历要求：本科及以上；
2. 专业要求：半导体、微电子、电子工程、物理学、材料科学与工程；
3. 其他要求：
• 具有逻辑思考与分析能力，能跨多个技术维度梳理关联规律并完成问题攻关；
• 具有半导体器件物理或集成电路制造工艺基础知识，具有至少1个半导体相关项目或竞赛参与经验者优先；
• 对DRAM存储器研发与良率提升方向具备强烈兴趣，愿意深耕国产存储自主研发事业。
公司介绍
长
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016-06-13，位于安徽，法定代表人：赵纶，登记状态：存续，注册资本6019279.7469万人民币，公司类型：其他
公司信息:公司名称:长鑫科技集团股份有限公司公司类型:电子技术/半导体/集成电路公司性质:1000-4999人公司地点:公司规模:--涉及领域:--公司网址: