任职要求： 1. 学历： 微电子、电子工程、集成电路等相关专业，211院校硕士及以上学历； 拥有5年以上定制电路设计经验，有存储器电路设计经验者优先。 2. 专业知识： a) 深入理解CMOS器件物理和制造工艺，熟悉深亚微米效应。 b) 精通模拟/数模混合电路设计基础。 c) 深刻理解存储器电路包括SRAM，NVM的工作原理、稳定性和可靠性机制。 3. 工具技能： a) 熟练使用主流EDA工具进行电路设计和仿真。 b) 熟悉版图设计工具和寄生参数提取工具。 c) 掌握一种脚本语言（如Perl, Python, Tcl, Shell）用于自动化仿真和数据处理。 4. 优先考虑条件 a) 具有在先进工艺节点下成功流片Memory IP的经验。 b) 拥有多种类型存储器（如高密度SRAM, 高速Register File, Low Power SRAM, ROM，EFUSE，DRAM，Flash）的设计经验。 c) 了解DFT（Design for Test）技术，如BIST（内建自测试）和冗余修复（Redundancy Repair）。 d) 具备芯片级电源完整性（IR Drop）和信号完整性（Crosstalk）分析经验。 e) 有硅验证调试和故障分析的实际经验。