1.专业发展研究： （1）跟踪国际InP光子集成领域技术发展方向，围绕高速光通信、相干探测、微波光子、激光通信、光计算等方向展开技术研究并开发产品； （2）规划形成研究所自有的InP光子集成制造工艺技术路线，规划外延结构、光子集成芯片制造工艺平台、器件制备与先进封装工艺发展路径； （3）开展InP有源/无源光子集成器件关键工艺研究，并形成成套工艺整合，包括但不限于外延生长、光刻、刻蚀、二次外延、钝化等； （4）推动InP与硅光、薄膜铌酸锂等材料的异质集成研究技术制定，形成面向未来的异质光子集成能力； 2.技术突破： （1）突破InP光子集成制造中的相关核心关键工艺，如低损耗波导刻蚀、高速电光调制器制备工艺、高速波导型UTC-PD制备工艺、单片集成平衡探测器、高速EML相关制备工艺； （2）提升芯片关键性能指标，如带宽、插损、消光比、功耗、热稳定性等； （3）建立高良率、可量产的InP光子集成芯片制造工艺平台，推动事业部从单器件制备向大规模集成光子芯片制备的工艺跨越； （4）形成InP与硅光、薄膜铌酸锂等材料异质集成的技术路线，并完成相关工艺开发，包括但不限于微转印、光子引线键合、晶圆键合等路径； 3.产品完成：负责高速调制器、高速探测器、Tx/Rx一体芯片等核心芯片的工艺实现，并形成相关产品开发，包括但不限于InP电光调制器、InP IQ调制器、单片集成InP平衡探测器、波导型UTC探测器； 4.市场开拓：协助本方向产品需求调研和市场扩展，具备一定的沟通能力； 5.人才建设：负责专业方向人才培养，具备因人施教能力。 6.其他成果：在预研、型谱、基金项目等科研领域申请国家经费支持，积累创新和科技成果，争取省部级以上奖项。