1.负责新型自旋存储材料（如磁性薄膜、异质结等）的研发与工艺优化，开展材料组分设计、界面工程及制备参数探索，建立稳定可靠的材料制备方案； 2.承担磁隧道结（MTJ）及相关原型器件的结构设计与全流程制备，涵盖薄膜生长、微纳图形化、刻蚀及后端封装等工艺环节，推动器件性能迭代； 3.系统开展材料与器件的物性表征及电输运测量，综合分析结构与磁学性能数据，定位性能瓶颈并提出优化策略； 4.紧密跟踪自旋电子学及MRAM领域国际前沿动态，结合产业需求凝练研究方向，参与科研项目申报、技术报告撰写及成果转化； 5.协同芯片设计、工艺集成及应用等跨职能团队，推动技术从实验室研发向工程化验证过渡，并参与标准化文档与知识产权成果的产出。