主导基于电子束光刻（EBL）工艺的新型智能芯片全流程研发，涵盖器件设计、工艺开发、流片验证到性能调试的全生命周期管理； 负责二氧化硅介质层工艺、金线互连工艺以及电容、电阻、电感等集成无源器件（IPD）的工艺开发与优化，解决微纳加工中的精度、良率问题； 主导芯片“主观智能”功能模块的设计与验证，结合无源器件特性实现智能调控、信号处理等核心功能，完成从原型到产品化的技术落地； 搭建芯片性能测试与失效分析体系，对接测试数据反馈工艺优化，建立工艺数据库和标准化文档； 带领研发团队推进项目进度，对接上下游晶圆厂、封装厂资源，协调解决量产阶段的技术瓶颈，把控研发成本与交付节点； 跟踪电子束光刻、集成无源器件、智能芯片领域的前沿技术动态，主导技术创新与专利布局。 任职要求 基础要求 学历与专业：硕士及以上学历，微电子、电子科学与技术、半导体物理、集成电路设计等相关专业，博士优先； 工作经验：5年以上芯片研发相关经验，至少有1个从0到1的芯片流片量产项目经验，有电子束光刻工艺开发或集成无源器件（IPD）研发经验者优先； 技术能力： 精通电子束光刻（EBL）全流程工艺，熟悉匀胶、曝光、显影、量测等工艺参数调试，掌握Beamer等版图设计软件操作； 熟悉二氧化硅薄膜沉积、深槽刻蚀、金线键合/互连工艺，了解集成无源器件（电容、电阻、电感）的设计原理与制造工艺； 具备扎实的半导体器件物理、电磁场理论基础，熟悉射频/模拟电路设计，掌握芯片性能测试与失效分析方法； 能独立承担研发任务，具备较强的工艺问题解决能力和项目统筹能力； 通用能力： 英语读写流利，能熟练阅读英文技术文献、设备手册，具备基本的英文专业交流能力； 责任心强，具备良好的团队协作和沟通能力，有研发团队管理经验优先。 优先条件： 有电子束光刻机、SEM等微纳加工设备操作与维护经验，熟悉晶圆厂或科研院所微纳加工平台运作流程； 有集成无源器件（IPD）、SiP系统级封装或智能芯片相关项目经验，熟悉无源器件与有源电路的集成设计方法； 有芯片量产落地经验，熟悉车规、工业级等高端场景的可靠性验证标准；