入驻博士后工作站，35岁以下，有户口落户优先权，提供可租住的宿舍、人才保障房。 岗位要求： 1、负责解决碳化硅衬底生长或外延薄膜生长的相关设计、工艺、参数、可靠性等方向研究； 2、负责产品工艺流程和投产相关工作； 3、参与碳化硅产品新技术、新标准、新工具和新方法研究及开发； 4、负责研发样品的管理和研发样片的测试、分析、评价等相关工作； 5、撰写相关技术报告、方案、总结及汇报材料等； 6、直接上级安排的其它工作任务等。 任职资格： 1、已获得或即将获得博士学位，35岁以下，物理学、材料科学、半导体等相关专业或研究方向。 2、有碳化硅（SiC）衬底制备、外延、器件工艺等相关研究经历熟练使用仿真软件优先考虑； 3、有限元软件分析经验者优先考虑； 4、有6英寸SIC经验，有8英寸优先考虑； 5、熟悉常见的失效问题，可以通过失效原理提出解决方案，优化产品设计； 6、有较强的学习能力、逻辑思维能力，较好的沟通、表达能力和团队协作精神。