研究方向及核心研究内容： 片上结构光发射与光场调控 培养年限： 2年 导师及科研团队简介： 团队致力于片上光场调控技术前沿探索与应用转化，具备从芯片设计、微纳加工、封装测试到系统集成的全流程研发能力，已成功研制光强调控芯片、非线性扩谱芯片、光力悬浮芯片等多款光芯片。 招收基本条件： 已获得或即将获得博士学位，专业为光电子学、凝聚态物理、电子工程等相关方向，具备微纳光子学或集成光芯片相关研究背景者优先。 薪酬待遇： 预期薪资30~50万元，执行中国科学院相关薪酬政策。