1.全日制211院校以上硕士及以上学历，微电子、半导体物理、集成电路工程、化学、微机电等相关专业；特别具备自驱力的可以放宽到双一流本科学历; 2.硕士8年年以上/本科10年以上 半导体工艺开发或工艺整合、量产维护经验；对市面上各型等离子刻蚀设备/等离子体辅助镀膜设备/蒸发镀膜/磁控溅射/离子注入设备 中的2种及以上设备的优缺点及其工艺发展历程有深刻的理解； 有Bosch刻蚀工艺经验、具有TSV /TRENCH实际开发经验优先； 3.具备技术平台开发和维护能力，对工艺过程有模型层面的理解，有进行过工艺建模工作或者结构改造、新工艺导入发明专利者优先; 4.工作积极主动，具备良好的沟通能力、团队合作精神以及较强对的责任心，能承受一定的工作压力；具备自我学习能力和自我管理能力，能根据器件性能要求转化为工艺方案;