一、硬性准入条件 要求电磁场与微波技术、微电子、电路与系统等相关专业博士。 二、核心能力 顶层架构与方案攻坚能力：精通GaN、GaAs、RF-LDMOS等主流高功率芯片工艺，深耕大功率PA、Doherty高效率PA、高功率驱动、功率合成、高效散热匹配等核心技术，具备高功率芯片整体架构设计、方案选型、技术难点预判与攻坚能力，可独立定义产品技术方案、攻克高功率效率、线性度、散热、可靠性等核心行业难题。 技术统筹与迭代引领能力：具备高功率射频产品技术路线规划、技术沉淀、专利布局能力，可统筹多版本产品迭代、关键技术预研，梳理标准化高功率研发技术体系，同时承接重点项目技术评审、方案把关，规避核心技术风险。 三、综合素质。 技术视野开阔、逻辑思维缜密，具备极强的问题攻坚与复盘迭代能力；责任心极强、抗压能力突出，具备优秀的技术统筹、跨部门协同、技术输出能力，思维前瞻性强，可长期深耕高端高功率射频芯片研发领域。