1.具备扎实的理论物理基础和半导体器件基础，深刻理解PN结、肖特基接触、HEMT二维电子气（2DEG）等基本器件原理，掌握化合物半导体与硅基器件在失效物理上的本质差异； 2.掌握核心可靠性测试机理：HTRB/HTGB/HAST/HTOL/PCT/MTTF等原理和测试方法； 3.熟悉行业标准与数理统计：深入理解JEDEC、AEC-Q101、MIL-STD等可靠性测试标准；掌握可靠性寿命模型（Arrhenius模型、Coffin-Manson模型等）及失效率（FIT）计算方法；熟练运用SPC、DOE等工程统计方法处理大量测试数据； 4.了解常用FA手段及功能，能够根据芯片失效特征选择合适的分析手段，并制定分析方案，如：EMMI、FIB、TEM、EDX、SEM、SIMS等。