1、主导功率模块（IGBT、MOSFET等）的结构设计与仿真分析，重点包括DBC基板设计、Clip互连结构优化以及热-机械应力仿真，确保模块设计的高可靠性与高性能。结合前沿技术，推动创新结构方案的落地实施； 2、负责功率模块的电气设计仿真，包括晶圆的定义、定制化开发及选型优化，结合系统应用需求，优化模块的电性能与效率。参与前沿功率半导体技术的评估与导入，提升产品竞争力； 3、主导功率模块的封装工艺开发，涵盖贴片、打线、塑封等关键制程的工艺设计与优化，解决工艺难题，提升制程能力与良率。推动先进封装技术在功率模块领域的应用与创新； 4、负责功率模块的测试方案设计、可靠性验证及失效分析，深入挖掘失效机理，提出改进措施并推动闭环优化。主导技术攻关，确保产品在复杂应用场景下的稳定性与可靠性； 5、承担功率模块（IGBT、MOSFET等）领域的先进技术洞察与研究，跟踪行业发展趋势，开展前瞻性技术研究与应用验证。结合市场需求与技术演进，制定技术创新路线图，持续构建和强化产品的技术护城河。 1、半导体物理、微电子与固体电子学、材料科学、电子封装或相关专业，具备扎实的半导体器件物理与封装技术理论基础； 2、需至少满足以下一项资深经验与技能： 1）深刻理解功率半导体器件（IGBT、VDMOS等）的全流程开发，主导过至少一款产品的设计、流片到量产的全过程，具备丰富的产品化与市场应用经验； 2）精通功率半导体器件的电学、热学及工艺仿真，熟练使用TCAD、FEM等工具，具备复杂器件结构与版图设计能力，有多次成功流片经验，能独立解决设计中的关键技术难题； 3）深入掌握功率半导体材料特性、关键工艺制程及先进封装技术，能够主导解决材料、工艺及封装集成中的复杂工程问题，熟悉SiC、GaN等宽禁带半导体技术者优先。 3、具备前瞻性技术视野，能够跟踪行业前沿技术动态，并推动技术创新与产品竞争力提升； 4、具备优秀的分析能力与系统化思维，能独立承担技术项目，能有效跨团队协作，推动产品快速落地。