学历： 微电子、光电工程、物理或材料科学相关专业硕士及以上学历。 经验： 5 年以上 III-V 族化合物半导体（GaN/GaAs）芯片制程整合（PIE）或器件研发经验。 核心技能： 精通微纳制程工艺： 熟悉光刻、ICP 蚀刻、介电层沉积（PECVD/ALD）及金属蒸镀工艺；具备解决微缩像素（<10μm）侧壁损伤（Sidewall Damage）与漏电问题的实战经验。 高速器件结构设计： 深刻理解器件物理，能通过优化电极几何结构与欧姆接触（Ohmic Contact）工艺，最大化降低器件的 RC 时间常数（RC Delay） 以提升调制带宽。 失效分析与良率提升： 具备 WAT（晶圆接受测试）数据分析能力，能针对 IV/CV 曲线异常定位制程缺陷（如电流拥挤、电迁移）。 加分项： 有 Flip-chip（倒装）键合工艺经验、或曾参与可见光通信（Li-Fi）/ 高速光电探测器研发项目者优先。