1、本科及以上学历，8年以上相关工作经验； 2、熟悉SRAM cell操作原理与其对应工艺改善方法，熟悉静态杂讯容限与制程参数（掺杂、关键尺寸、膜厚）的关联； 3、熟悉SRAM Vmin失效或改善方法分析，理解并实现SRAM cell微缩与稳定性优化，通过模拟分析各干扰来源； 4、跨部门主动沟通能力，与工艺整合、可靠性部门深度合作，良性沟通，解决因工艺问题带来的SRAM cell issue。 1、分析SRAM device特性并产出报告內容，说明SRAM device问题与提供解决方法； 2、提供自动化分析脚本，供相关人员使用日常电性数据分析； 3、带领新人成长，完成SRAM device分析能力的传承。