设计与仿真：使用技术计算机辅助设计（TCAD）工具设计和优化功率MOSFET结构（例如，沟槽MOSFET、屏蔽栅沟槽、超结MOSFET）。进行详细的二维和三维仿真，分析和优化关键设备参数，包括导通电阻（Rds(on)）、击穿电压（BV）、栅电荷（Qg/Qgd）和开关性能。开发和验证电路级仿真的紧凑模型（例如，SPICE，BSIM）以及系统集成。工艺开发与集成：与晶圆代工厂密切合作，定义工艺流程、设备架构和设计规则。分析测试芯片和开发批次的硅数据，将仿真结果与电测量结果相关联，并推动工艺改进。评估工艺变化对设备性能和可靠性（例如，角落分析）的影响。产品工程与支持：在产品认证阶段支持产品工程团队，包括可靠性测试（HTRB、H3TRB、ESD等）和故障分析。排查设备性能问题，为跨职能团队（包括应用、测试和故障分析工程师）提供专业指导。创建和维护详细的设计文档，包括仿真报告、测试计划和产品规格。创新与研究：及时掌握功率半导体领域最新的行业趋势、前沿技术和竞争产品。提出并研究新颖的设备概念和工艺创新，以保持我们的竞争优势。通过撰写发明披露和专利，为公司的知识产权组合做出贡献。具有功率半导体器件设计和开发的项目经验。在TCAD仿真工具方面熟练（例如，Synopsys Sentaurus，Silvaco Atlas）。对半导体器件物理有深入理解，包括MOSFET的工作原理、击穿机制和可靠性物理。具备半导体工艺集成和器件特性测试的实际经验。熟悉实验室设备，如参数分析仪（例如，Keysight B1500）、示波器和曲线跟踪仪。技术技能：深入了解功率MOSFET技术（沟槽、SGT、SJ等）及其权衡。具有统计数据分析和DOE（实验设计）方法论的经验。熟练使用脚本语言（例如，Python、Perl）进行仿真和数据分析自动化者优先。